sk海力士

DealSiteの報道によると、ストレージチップメーカーのSKハイニックスは、第6世代の高帯域幅メモリHBM4の量産を拡大している一方で、一部の後工程機器業界関係者は、増産の速度が予想よりも遅れていると考えており、今年計画されている追加の機器注文が来年に延期される可能性があるとしています。機器業界の関係者によると、当初今年下半期に納品される予定だった一部の機器に遅延の兆候が見られ、今後の注文計画もまだ明確ではないとのことです。匿名の関係者は、今年投入予定だった一部の機器が来年に変更される可能性があると述べており、既に納品された機器がフル稼働しているかどうかについてもデータの確認が取れていないとしています。来年のHBM4関連の投資計画は、一部の協力先に具体的に伝えられていない状況で、今年の注文は大体完了していますが、明確な投資の増減の信号は見られません。報道によれば、機器投資のスケジュールと製品品質の問題との直接的な関連性はまだ確認されていません。大信証券の研究員である柳亨根氏は、主要顧客のHBM4の品質問題が業績の予想を下回る懸念は過度であると考えており、後工程において一部の問題が発生した可能性はあるものの、それを解決不可能なリスクと見なすのは難しいと述べています。また、不良補償について議論する段階にはまだ至っていないとも言われています。さらに業界の一部では、汎用メモリの価格上昇の背景の中で、一部のHBM投資が汎用メモリにシフトする可能性があるとも言われています。SKハイニックスは、龍仁クラスターY1ウェーハ工場の最初のクリーンルームにDRAM生産設備を優先的に導入する計画で、業界では初期の生産ラインが第6世代10ナノメートル級1cプロセスを採用することが予想されており、新たな生産能力は優先的に汎用DRAMに配分されると見込まれています。また、一部の後工程機器のスケジュールの変化だけでは、HBM4の量産が阻害されていると判断するには不十分であるとの見解もあります。SKハイニックスは主要顧客にHBM4の16層サンプルを供給しています。

SKハイニックスとその労働組合は、業績ボーナスに関する合意に達しました。合意に基づき、ボーナスの50%は現金で支払い、残りの50%は会社の株式で支払われます。SKハイニックスは当初、業績ボーナスを全額現金で支払う予定でした。これは、会社がボーナス総額の少なくとも50%に相当する株式を買い戻す必要があることを意味します。

朝鮮日報の9月7日の報道によると、SKハイニックスは10ナノメートル級第6世代（1c）DRAMの生産比率を高めるための加速を進めています。業界のデータによると、1c DRAMの比率は今年第1四半期の約10%から第2四半期の約13%に上昇し、第3四半期には約24%、第4四半期には約34%に達する見込みです。来年の第1四半期には約35%に上昇し、初めて1b（約33%）を超えて主力プロセスとなる見込みです。1b（10ナノメートル級第5世代）DRAMの比率は、今年第2四半期に約43%でピークを迎えた後、減少に転じています。第2四半期末時点で、サムスン電子の1c比率は約16%、マイクロンは約19%で、いずれもSKハイニックスの約13%を上回っています。報道によると、SKハイニックスは下半期に変換を加速し、第4四半期には約34%でサムスン電子の約31%を超える見込みです。SKハイニックスは第2四半期の業績電話会議で、1cプロセスを採用したDRAMの供給が第2四半期から実質的に開始され、下半期にはHBM4の出荷増加と1c汎用DRAMの出荷増加に伴い、ビット成長率が上半期を上回ると述べました。サムスン電子はHBM4から1c DRAMを採用し、動作速度は約11.7Gbpsです。SKハイニックスは以前、検証済みの1b DRAMと先進的なMR-MUFパッケージを使用して量産の安定性を優先的に確保し、次世代HBM4Eから初めて1c DRAMをHBMコアチップとして使用します。Counterpoint Researchなどは、今年、NVIDIA、Google、AMDの合計でHBM4の市場シェアがSKハイニックスの50%中盤、サムスン電子の20%後半、マイクロンの10%後半になると予測しています。