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first_img AIチップ会社Groqは次世代チップに3DスタッキングDRAMを導入することを計画しています。

ZDNet Korea の 10 月 20 日の報道によると、英偉達に実質的に買収された AI チップ会社 Groq は、次世代チップに DRAM 三次元スタッキングパッケージを導入することを進めており、速度が速いが容量が小さい SRAM ソリューションに代わるものです。Groq は前 Google TPU デザイナーの Jonathan Ross によって 2016 年に設立され、昨年英偉達に間接的に買収されたと報じられています。報道によれば、Groq が評価しているソリューションは 3DS であり、シリコンビアを通じて DRAM チップを垂直に接続する高容量パッケージです。三次元パッケージは複数の裸チップを垂直にスタッキングし、一つのチップとして機能させることができ、平面ソリューションに比べて面積を縮小し、電力効率を向上させます。3DS と HBM はどちらもシリコンビアを使用していますが、HBM は伝送速度に重点を置き、3DS は既存の DRAM インターフェースを維持し、容量の拡張に焦点を当てています。匿名の業界関係者は、Groq が次世代チップに三次元パッケージを採用する計画であり、スタッキングされるのは SRAM ではなく DRAM であると述べています。別の関係者は、市場の需要がより大容量のチップにシフトしているため、Groq は容量で優位性のある DRAM を選択したと述べています。

first_img クアルコムの次世代APが発熱、サムスンはExynosをUltraに復帰させるかもしれない

《ソウル経済》によると、16日に報じられたところによれば、サムスン電子は来年初めに発表予定の最上位モデルGalaxy S27 Ultraに搭載されるQualcommの次世代アプリケーションプロセッサが発熱による性能低下を引き起こしている。サムスンDX部門MX事業部は、このモデルに搭載されるQualcomm Snapdragon 8 Elite Extreme第6世代の最終性能検証を行っており、今月中旬までにQualcommに発熱問題の解決を求めている。複数の関係者によると、このチップは最近の内部テストで温度基準を繰り返し超え、高負荷が持続する際に処理速度が低下している。サムスンは先月、結果をQualcommに通知しており、報道時点ではサムスンが要求する発熱の安定性には達していない。両社は性能を強化し、再検証を行っている。このチップは、Qualcommが先月公開した最上位のモバイルAPであり、デバイス側で複雑なAIタスクを処理することに重点を置き、CPU、GPUなどの性能を向上させている。Galaxy S27シリーズの量産は今年の年末に予定されており、サムスンは今月中旬に発熱改善の結果を確認し、APの選定を完了する計画だ。基準を満たせば、当初の計画通りSnapdragonを採用するが、解決しなければ、サムスンシステムLSIが設計し、ファウンドリ部門の第2世代2ナノメートルプロセスSF2Pを採用したExynos 2700を代替案として使用する可能性がある。2023年のGalaxy S23 Ultraから世界的にQualcomm APが使用されており、もしExynos 2700が来年のUltraに入ることになれば、2022年以降約5年ぶりに最上位モデルに戻ることになる。業界関係者は、Qualcomm APが最終的に排除されていないと述べている。

first_img サムスン電子は次世代DRAMロードマップを調整し、B1bをD0aと命名しました。

ZDNet Korea の報道によると、サムスン電子は次世代 DRAM 戦略を調整し、以前プロジェクト形式で開発されていた B1b を正式なロードマップに組み込み、初の 10 ナノメートル未満 DRAM D0a と名付けました。以前の D0a は垂直トランジスタ DRAM を指していましたが、現在この製品は D0a-V として単独で分類されています。この名称変更は、汎用 DRAM における先進的なパッケージングの導入を加速するためです。B1b は、ストレージセルと周辺ドライバ回路を異なるウェハ上で製造した後に接合し、ウェハ対ウェハの混合接合を採用し、銅相互接続で直接接続します。現在商用化されている DRAM は 1c で、これは第 6 世代 10 ナノメートル級、ライン幅は約 11 から 12 ナノメートルです。次世代 1d は第 7 世代 10 ナノメートル級、ライン幅は約 10 から 11 ナノメートルで、事実上最後の 10 ナノメートル級製品と見なされています。関連するライン幅はマーケティング用語であり、実際の物理的サイズではありません。垂直トランジスタは、セル内のトランジスタを垂直に配置することで、セル面積を 6F² から 4F² に縮小できますが、高深幅比エッチングと漏れ電流に対処する必要があり、開発難易度は高いです。ウェハ対ウェハの混合接合は、CMOS イメージセンサーや高積層 NAND で量産応用されています。サムスン電子は B1b を第 8 世代高帯域幅メモリ HBM5 に使用することを評価しています。HBM5 は約 2029 年に量産される見込みで、HBM4E に比べて動作速度を 50% 以上向上させることを目指しています。業界では、B1b に基づく D0a DRAM は最速で約 2 年後に商用化されると見込まれており、具体的な量産投資スケジュールは来年の中頃に決定される可能性があります。

SKハイニックスはインテルを次世代HBMベースチップの供給業者として検討しています。

Citrini のアナリスト Jukan の情報によると、SK ハイニックスは多様な高帯域幅メモリ(HBM)用の基板チップのファウンドリ供給業者を多様化する作業を進めているとのことです。これらの HBM は、複数のメモリチップを垂直に積み重ねて構築されています。報道によれば、同社は第7世代 HBM すなわち HBM4E の一部基板チップの生産をインテルのファウンドリに外注することを検討しているとのことです。これまで、SK ハイニックスは完全に TSMC に依存して基板チップの生産を外注してきました。この動きは、サプライチェーンの TSMC への集中度を減少させるための多供給業者ファウンドリ戦略の構築努力と見なされています。また、SK ハイニックスの価格交渉力を強化することにもつながります。業界の情報筋によれば、8月31日、SK ハイニックスは HBM4E の基板チップを TSMC とインテルが共同で製造する計画を進めており、最も早く HBM4E 世代から始まる可能性があるとのことです。市場は HBM4E の基板チップのコスト負担がさらに増加することを予想しています。HBM 製品は主に長期供給契約(LTA)でカバーされているため、SK ハイニックスはすぐに製品価格を引き上げてより高いファウンドリコストを顧客に転嫁することが難しい状況です。したがって、業界の観察者は、インテルが最終的に SK ハイニックスの基板チップ供給チェーンに加わる場合、同社はコスト競争力と供給の安定性においてより多くの選択肢を得ることになると考えています。

first_img Googleの社員は次世代Gemini 3.8 Flashモデルをテストしました。

Business Insider の報道によると、Google は今月新しい AI モデルを発表した後、一部の従業員が内部コーディングプラットフォーム Jetski 上で Gemini 3.8 Flash のプレビュー版をテストし始めた。あるテスト従業員は、このモデルが 3.7 Flash よりも明らかに優れていると述べたが、現時点では評価するには早すぎると強調した。Google はこれに対してコメントを控えている。3.5 Pro がまだリリースされていない中、Anthropic と OpenAI が継続的に加速している背景の中で、Google はもはや最前線のモデルを持たず、より高速でコストが低い Flash シリーズの「主力モデル」にシフトして、エージェントのコーディングと実行に使用している。Gemini 3.6 Flash は 7 月にリリースされ、3.7 Flash はその 3 週間後に続いた。CEO のサンダー・ピチャイは Q2 の決算発表会で、会社の目標はほぼ毎月のリリースに近づいていると述べた。従業員のプレビューは、Gemini 3.8 Flash の公開リリースが近い可能性を示唆しているが、保証はされていない。一部の AI 観察者は、Arena AI ベンチマークサイトでこのモデルの痕跡を発見したと考えており、Google は以前にこのプラットフォームを使用して今後リリースされるバージョンをテストしていた。Google は今年の初めに Gemini Spark エージェントも発表した。

ヴィタリックが「局所的混合」暗号学研究を発表:次世代の混乱技術を探求し、新しい暗号学の基礎原理となる可能性がある

イーサリアムの共同創設者であるVitalik Buterinが最新の記事『Obfuscation(第3部):Local Mixing』を発表し、現在探求中の暗号学的混乱技術のルートである「局所混合」(Local Mixing)について詳しく紹介しました。彼は、これが楕円曲線、RSA、格暗号に続く新しい暗号学的基盤ツールになる可能性があると述べています。Vitalikは、現在の主流の混乱技術は主に複雑な数学的仮定に依存しているが、しばしば非常に高い計算コストがかかると指摘しています。一方、局所混合は全く異なるアプローチを採用し、楕円曲線、大きな整数の因数分解、または格暗号に依存せず、対称暗号学とハッシュ関数の設計経験を参考にし、回路構造を絶えず混乱させ、再構成し、隠すことで、機能を変えずに情報漏洩を排除します。局所混合技術は主に可逆化(reversibility)、強化処理(hardening)、混合(mixing)、分割(splitting)、交差移動(crossing walk)、および「コンポーネント化」(gadgetization)などのステップを含み、回路にランダムな構造を追加し、論理ゲートを再配置し、非線形の隠蔽メカニズムを導入することで、攻撃者が元の計算論理を復元することを困難にします。Vitalikは、この技術はまだ初期段階にあり、安全性は長期的な検証を受けておらず、ランダム攻撃や線形分析などの課題に直面していると指摘しています。しかし、彼は局所混合が全く新しい暗号学的探求の道を代表しており、その目標はより効率的な不可区別混乱(iO)スキームを構築することだと考えています。もし局所混合技術が突破口を開けば、新しい量子耐性の公開鍵暗号スキームをもたらし、汎用混乱技術の発展を促進する可能性があります。現在、この分野は数年の暗号分析と最適化の検証を必要としていますが、AI支援の研究がこの成熟プロセスを大幅に加速する可能性があります。Vitalikは、混乱技術は暗号学の「最後のフロンティア」と見なされていると述べています。なぜなら、理論的には他の暗号学的原則は混乱と単方向関数に基づいて構築できるからです。また、局所混合は従来の混乱スキームのコストを削減するだけでなく、将来の暗号学的インフラストラクチャの重要な方向性になる可能性があります。

hot_img アメリカ商務省は7つの半導体企業に8億7400万ドルを投資し、次世代GPU時代の7つの基盤技術に賭けています。

アメリカ商務省は7月29日に7社と意向書を締結し、総額最高8.74億ドルでCPO、鉄電メモリ、3Dパッケージングなど7つの「GPU後時代」の基盤技術路線を支援する株式投資の形で行われました。これはアメリカのチップ戦略が「生産能力の回帰」から「技術路線の選択」へと移行していることを示しています。7社および技術方向は以下の通りです:GlobalFoundries(CPOシリコンフォトニクス、3億ドル)、Kepler Computing(鉄電3Dメモリ、2.45億ドル)、Multibeam(多電子ビーム直接書き込みリソグラフィーと先進的パッケージング、1.4億ドル)、Extropic(熱力学サンプリングユニットTSU、7500万ドル)、Thintronics(超低損失誘電体材料、5000万ドル)、Aeluma(大サイズ無リン光電デバイス基板、3000万ドル)およびOBSIDIA(ハードウェアゼロトラストチップ偽造防止、3400万ドル)。すべての企業はアメリカ政府に対して無制御の少数株式を提供する必要があります。この動きはCHIPS法案の資金使用方法がウェハファブへの補助金から国家資本が直接最前線技術企業の株式を保有する形に移行し、後モーア時代のルール策定権を確保することを示しています。
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