電子

CoinDesk の報道によると、スウェーデン中央銀行は議員に電子クローナ（e-krona）の発行の必要性を再検討するよう促しており、外貨安定コインやデジタルユーロの発展に伴い、スウェーデンクローナの決済システムにおける使用が長期的な圧力に直面する可能性があると考えています。スウェーデン中央銀行の副総裁である Per Jansson は、現金がさらにデジタル化され、スウェーデンクローナに便利なデジタル形態が欠けている場合、国内通貨は越境で使用できるデジタル決済ツールと競争するのが難しくなる可能性があると述べています。中央銀行は現在、電子クローナを正式に発行するかどうかを決定していませんが、関連する制度や技術の作業には少なくとも 5 年かかると予想されるため、立法の準備を早期に開始したいと考えています。

アメリカ合衆国特許商標庁（USPTO）の発表によると、サムスン電子の「ブロックチェーンサービスに基づく電子機器およびその操作方法」という特許が10月20日に正式に認可されました。この技術は、電子機器が無線信号を通じて近くのブロックチェーンサービスをサポートするデバイスを識別し、ピアツーピア接続を確立し、各デバイスが保存している最新のブロック高を比較することで、データが最新のデバイスを選択してブロックチェーンの同期を完了することを可能にします。この特許は、デバイスがブロックデータを同期する際のネットワークトラフィックとエネルギー消費を削減することができます。

韓国の毎日経済新聞によると、テスラとエヌビディアはサムスン電子工場に28億ドルを投資する予定です。

Gateの市場データによると、韓国のKOSPI指数は10月20日（火曜日）に214.93ポイント下落し、下落率は3.73%で、5553.08ポイントで取引を終えました。サムスン電子は2.98%下落し、SKハイニックスは4.22%下落しました。

Bitget は、TWTSM（台積電）、TWDELTA（デルタ電子）、TWASX（エイサンホールディングス）、TWUMC（聯電）などの 8 つの人気のある台湾株の永続契約を上場しました。上記の契約は USDT で決済され、最大 20 倍のレバレッジと 7×24 時間の取引をサポートしています。現在、Bitget は合計 364 の株式永続契約の対象をサポートしています。

ZDNet Koreaの10月15日の報道によると、サムスン電子は第4四半期の中低価格スマートフォンの生産計画を下方修正しました。その理由には、メモリーチップの価格上昇や、PCB原材料CCL用のガラス繊維供給の障害が含まれています。日本の日東紡は、収益性の高いAI半導体用Tガラスに生産能力をより多くシフトし、スマートフォン用PCBのEガラスの生産量を減少させたため、供給が滞り、価格が上昇しました。EガラスはスマートフォンのマザーボードHDIやRFPCBの半硬化片などに使用されています。報道によると、メモリの価格上昇が製造コストを押し上げた後、サムスンは関連部品の注文を減少させました。Galaxy Aなどの中低価格モデルは利益が低く、大幅な増産が難しいため、今年の中低価格基本モデルの価格は前世代よりも10万ウォン以上上昇しました。パートナーに伝えられた第4四半期の部品注文の見通しは、年間スマートフォン出荷台数が2.3億台を超えるもので、部品業界の予想である2.4億台を下回り、中秋連休前よりも20%から30%減少しています。来年のスマートフォン事業計画は、例年のようにパートナーと共有されていません。9月中旬の第4四半期の月間生産見通しは、10月1430万台、11月950万台、12月760万台で、合計3140万台でしたが、今月初めに調整され、10月990万台、11月760万台、12月670万台、合計2420万台に減少し、23%減となりました。中低価格モデルの生産量が下方修正される一方で、来年初めのGalaxy S27などのフラッグシップ出荷計画は依然として高い水準を維持しており、来年の折りたたみ式ディスプレイの出荷量も増加する計画です。MXとネットワーク事業部は第2四半期に7350億ウォンの損失を計上し、証券業界は年間損失の見通しを4000億ウォンとしています。

Gateの市場データによると、サムスン電子は韓国株式市場で前日比6%下落し、SKハイニックスは7%下落しました。前夜の米国株式市場では、ストレージ関連株が一般的に下落しました。

The Defiant の報道によると、欧州銀行管理局はドル安定コイン USDC をEU初の「重要」電子通貨トークンとして認定しました。これに基づき、USDCに関する金融規制の責任は11月12日に欧州銀行管理局に移管されます。同時に、フランスの慎重規制および処分局は、USDCのガバナンスおよびその他の企業業務を引き続き担当します。

CoinDesk の報道によると、37 の欧州の大手銀行が支持するコンソーシアム Qivalis が、オランダ中央銀行（DNB）から電子通貨機関（EMI）ライセンスを取得したことを発表しました。これにより、ユーロ建ての電子通貨トークン（EMT）の発行に一歩近づきました。このアムステルダムに本社を置く企業は、今後数ヶ月内にトークンを発行するために、EU の「暗号資産市場規制」（MiCA）の残りの要件を満たす必要があります。ホワイトペーパーを発表することが含まれます。このライセンスにより、Qivalis は銀行や決済機関に対して、ブロックチェーン技術に基づくユーロの移転手段を提供できるようになります。Qivalis は、消費者に直接提供するのではなく、銀行、暗号通貨取引所、決済サービスプロバイダーを通じてトークンを配布する計画です。このコンソーシアムは、2025 年 9 月の設立以来、BBVA、フランス・パリ銀行、ING、DZ バンクを含む 37 の欧州銀行に拡大し、Fireblocks にデジタル資産インフラを提供することを選択しました。MiCA の規定によれば、EMT はステーブルコインに分類されますが、すべてのステーブルコインが EMT であるわけではありません。EMT は単一の法定通貨にペッグされており、認可された信用機関または電子通貨機関によって発行され、保有者は法的な請求権を持ち、いつでも額面で償還する権利があり、EMT は利息を支払うことはできません。Qivalis の CEO Jan-Oliver Sell は、ヨーロッパの通貨はヨーロッパのルールに基づいてチェーン上で運用されるべきであり、ヨーロッパはヨーロッパの法律に基づいて発行され、ヨーロッパの規制基準に従ったユーロのチェーン上決済資産を持つべきだと述べています。

ZDNet Korea の 10 月 12 日の報道によると、サムスン電子は次世代 NAND フラッシュメモリ zNAND の適用範囲を拡大しており、公開された zNAND-O に加えて、zNAND-O、zNAND-T、zNAND-I の 3 種類の製品に細分化する計画を立てています。報道によれば、サムスン電子はまだ後の 2 つの製品を正式に発表していませんが、業界では関連するプランが初期開発段階に入っていることがわかっています。これは、AI インフラストラクチャにおけるカスタマイズストレージの需要増加に対応するためです。zNAND-O はエッジ AI 向けです。従来のワイヤーボンディングとは異なり、このプランはシリコンビアを通じて NAND を 4 層または 8 層垂直に積み重ね、データ転送経路を短縮し、速度とエネルギー効率を向上させます。サムスン電子は今年 8 月にアメリカのメモリ関連イベントで zNAND-O モデルを初めて公開しました。zNAND-T はスループットに重点を置き、高容量・高性能の AI データセンター向けで、同様に垂直積層とシリコンビアを使用して帯域幅を拡大し、業界では高帯域幅フラッシュメモリと呼ばれています。zNAND-I は毎秒の入出力回数を向上させることに重点を置き、AI 推論におけるキー・バリューキャッシュなどの小容量の一時データの頻繁な処理に使用されます。報道では、SK ハイニックスも AIN P、AIN D、AIN B などの AI NAND 製品シリーズを開発していることが言及されています。

韓国メディアの報道によると、サムスン電子は来年のストレージ供給について長期契約を締結し、カバー率は約75%から80%に達し、高帯域幅メモリも含まれています。報道によれば、サムスン電子はNVIDIA、Google、Microsoftなどの主要テクノロジー企業との契約の大部分を確定させたとのことです。SKハイニックスとマイクロンも供給量の確保を加速させており、主要顧客との一連の大規模な長期契約を締結しています。サムスン電機は、台湾の電力電子会社であるデルタ電子との間で7000億ウォンの長期契約を締結する段階に近づいているとされています。

三星電子は第3四半期の初歩的な業績を発表しました。第3四半期の営業利益は107.4兆ウォンで、市場予想は106.1兆ウォンでした。第3四半期の収益は195兆ウォンで、市場予想は199兆ウォンでした。

韓国経済新聞によると、サムスン電子の次世代高帯域幅メモリ「12層HBM4E」製品は、NVIDIAおよび主要な超大規模データセンター運営者の品質検証を通過しました。

LG電子は、人工知能データセンターの冷却事業に1,500億ウォンを投資します。

財聯社が報じたところによると、現地時間9月29日、三星電子の執行副社長Kim Taewooは、来年のHBMがDRAMメーカーのウェーハ総生産能力の約30%を占めると予想しており、現在その割合は約20%であると述べました。彼は、HBMと従来のDRAMが同じウェーハ生産能力を争っており、HBMの生産を拡大すると従来のDRAMの供給が圧迫される可能性があると述べました。TrendForceは以前、2027年末までに世界の三大HBM供給者のHBMウェーハ投入量がDRAMウェーハ総投入量の約30%を占めると予測していますが、ストレージ容量で計算すると、DRAM総供給量の約13%しか貢献できないとしています。また、9月20日の報道によると、三星は今年2月からHBM4の量産出荷を開始し、5月にはNVIDIAを含む顧客に12層HBM4Eサンプルを提供しました。業界では、三星のHBMの月平均ウェーハ投入量が今年の約18万枚から来年の約25万枚に増加すると予想されています。TrendForceは同日、AIサーバーの需要が続いており、HBMと汎用DRAMは依然として限られた先進プロセスの生産能力を共有すると述べ、2027年のストレージ供給は引き続き厳しい状況が続くとし、2027年のHBM価格予想を引き上げ、混合平均販売価格が前年比で121%上昇すると予測しています。供給が限られ、システムコストが上昇する影響を受けて、8層HBMは2027年に多くのメーカーが優先的に評価する方案となる見込みで、その価格は12層製品よりも約10%から20%高くなると予想されています。

台達電子は、NVIDIA (NVDA.O) Hyperion を基に自動運転システムを構築します。

ZDNet Koreaの9月28日の報道によると、Samsung Electronicsは平沢第5工場（P5）の初の量産ライン（Ph1）の建設を加速しており、主要設備メーカーとPh1の設備搬入目標を当初の来年の第3四半期から来年の第2四半期に前倒しすることを協議しています。P5は2028年の稼働を目指す次世代半導体生産拠点であり、今年の第3四半期にはPh1のクリーンルームの建設が始まりました。Samsung Electronicsは、当初来年初めに完成予定だったP5 Ph1のクリーンルームの建設を約6ヶ月前倒しし、そのため設備導入は来年の第3四半期頃になると予想されています。業界関係者によれば、設備搬入の開始時期は来年の7月から8月を来年の5月から6月頃に前倒しすることが検討されており、別の関係者はSamsungが来年第1四半期に先に設備を納入し、他の場所に一時保管することを提案したとも述べており、早期投資の意欲が強いことを示しています。P5の第2段階（Ph2）への投資議論も進行中です。現在、Ph1はDRAMおよびHBM生産ラインとして建設される可能性が高く、Ph2は第10世代（V10）を含む先進的なNAND生産ラインとして建設される可能性が高いです。設備業界の関係者は、正式な調達注文はまだ出されていないが、SamsungはパートナーとPh2をNAND生産ラインとして建設することを議論しており、設備の納入サイクルが長いため、関連部品を前もって準備するよう要求していると述べています。報道によれば、世界の大手テクノロジー企業はAIインフラ用の高性能DRAMおよびNANDの注文を増加させており、Samsungなどのストレージ企業は生産能力が限られています。Samsungは7月の第2四半期の業績電話会議で、今年満たされなかった需要は来年に持ち越され、来年の供給不足は今年よりも深刻になると述べており、供給不足は2028年まで続くと予想しています。

LG電子はNVIDIAのAIデータセンター冷却ソリューションの公式パートナーシッププログラムに参加し、「電力と冷却」カテゴリーの優先パートナーとして評価されました。LGは超大規模データセンターとホスティング市場を拡大することを目指しており、特に北米市場に注力しています。現在、世界の新しいデータセンターのキャパシティの60％以上が北米に集中しています。

ZDNet Korea の報道によると、サムスン電子は次世代 DRAM 戦略を調整し、以前プロジェクト形式で開発されていた B1b を正式なロードマップに組み込み、初の 10 ナノメートル未満 DRAM D0a と名付けました。以前の D0a は垂直トランジスタ DRAM を指していましたが、現在この製品は D0a-V として単独で分類されています。この名称変更は、汎用 DRAM における先進的なパッケージングの導入を加速するためです。B1b は、ストレージセルと周辺ドライバ回路を異なるウェハ上で製造した後に接合し、ウェハ対ウェハの混合接合を採用し、銅相互接続で直接接続します。現在商用化されている DRAM は 1c で、これは第 6 世代 10 ナノメートル級、ライン幅は約 11 から 12 ナノメートルです。次世代 1d は第 7 世代 10 ナノメートル級、ライン幅は約 10 から 11 ナノメートルで、事実上最後の 10 ナノメートル級製品と見なされています。関連するライン幅はマーケティング用語であり、実際の物理的サイズではありません。垂直トランジスタは、セル内のトランジスタを垂直に配置することで、セル面積を 6F² から 4F² に縮小できますが、高深幅比エッチングと漏れ電流に対処する必要があり、開発難易度は高いです。ウェハ対ウェハの混合接合は、CMOS イメージセンサーや高積層 NAND で量産応用されています。サムスン電子は B1b を第 8 世代高帯域幅メモリ HBM5 に使用することを評価しています。HBM5 は約 2029 年に量産される見込みで、HBM4E に比べて動作速度を 50% 以上向上させることを目指しています。業界では、B1b に基づく D0a DRAM は最速で約 2 年後に商用化されると見込まれており、具体的な量産投資スケジュールは来年の中頃に決定される可能性があります。

奥尼電子公告によると、その完全子会社である奥尼智能科技（中山）有限公司がA社とGPU計算力カードの購入契約を締結し、契約総額は人民元16.7億元（税金含む）です。契約は正式に署名され、発効しました。