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ChainCatcher 消息，Elon Musk 在 X 上以一張表情包嘲諷 OpenAI CEO Sam Altman 關於家用電腦內存閒置的言論。Altman 在 YouTube 頻道 Cheeky Pint 的採訪中表示，從全球資源分配的角度看，讓世界有限的 DRAM 供應閒置在個人電腦中、且僅使用 5% 的時間"相當糟糕"，在供應受限的環境下應當在雲端實現最大化利用，但許多人的直覺與此相反。Musk 於週日發布了一張《無恥混蛋》中由 Christoph Waltz 飾演的納粹軍官 Hans Landa 的表情包，配文"你們正在把 DRAM 扣留、不交給雲端，對吧？"，並寫道"人們也理應擁有自己的 RAM！"該交鋒是兩位 OpenAI 聯合創始人長期矛盾的延續。兩人与其他人於 2015 年共同創立 OpenAI，Musk 於 2018 年離開。Musk 於 2024 年起訴 OpenAI 與 Altman，指控其背離開放組織的非營利使命；今年 5 月，加州聯邦陪審團駁回了這項 1500 億美元的訴訟，認定 OpenAI、Altman 及總裁 Greg Brockman 在所有指控上均不承擔責任。Altman 在採訪中還將內存短缺部分歸因於存儲廠商的謹慎，稱過去 DRAM 生產商"投資 200 億美元資本開支卻只賺 190 億"，經歷此前產能過剩周期的企業擴產遲緩。

ChainCatcher 消息，加拿大皇家銀行資本市場（RBC Capital）發布研報稱，人工智慧需求持續超過供給，高帶寬記憶體（HBM）價格上漲有望支撐整體 DRAM 平均銷售價格，儲存晶片廠商 SK 海力士將持續受益於儲存晶片上行週期。報告指出，2027 年 HBM 價格可能上漲 80% 到 100%。RBC 認為，DRAM 上行週期在已持續 14 個季度的基礎上還將再持續五個季度，供應緊張預計持續到 2027 年。RBC 預計 SK 海力士第三季度業績將略高於市場共識，營收料達 101.2 萬兆韓元，調整後每份美國存託憑證收益為 8917 韓元（約合 6.72 美元）。三季度 DRAM 合約價環比上漲 20%，四季度可能再漲 15%。RBC 重申"跑贏大盤"評級，目標價 200 美元，較最新收盤價高出約 40%。美股市場上，SK 海力士股價週一大漲逾 4%，報 142.62 美元。野村證券近日表示，儲存晶片短缺將持續至 2028 年，維持三星電子和 SK 海力士"買入"評級，目標價分別為 67 萬韓元和 470 萬韓元。韓國 KB 證券週一表示，兩家企業市盈率已降至約 3 倍。本週三 SK 海力士將發布第三季度財報，據 FnGuide 調查，分析師預計營收 98.2 萬兆韓元、營業利潤 77 萬兆韓元。據媒體報導，公司正考慮派發約 16 萬兆韓元特別股息。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 10 月 20 日援引半導體業界報導，已被英偉達實質收購的 AI 晶片公司 Groq 正推進在下一代晶片中引入 DRAM 三維堆疊封裝，以替代速度快但容量較小的 SRAM 方案。Groq 由前谷歌 TPU 設計者 Jonathan Ross 於 2016 年創立，報導稱該公司去年被英偉達以迂迴方式收購。報導稱，Groq 正在評估的方案為 3DS，即通過矽通孔把 DRAM 晶片垂直連接的高容量封裝。三維封裝可將多顆裸片垂直堆疊並作為一顆晶片工作，相較平面方案縮小面積、提高電力效率。3DS 與 HBM 都使用矽通孔，但 HBM 側重傳輸速度，3DS 維持既有 DRAM 接口並聚焦容量擴張。匿名業界人士表示，Groq 計劃在下一代晶片採用三維封裝，堆疊的是 DRAM 而非 SRAM；另一名人士稱，市場需求轉向更大容量晶片，Groq 因此選擇在容量上更有優勢的 DRAM。

ChainCatcher 消息，据路透社报道，美光科技（Micron）台灣桃園工會於 10 月 20 日宣布，計劃於本週四發起罷工，以抗議員工獎金與利潤分享方案爭議，並聲援正在與公司進行調解談判的台中工會。目前，桃園工會與美光的調解已於 9 月破裂，前者於 10 月初獲得成員罷工授權。台中工會代表美光在台灣規模最大的運營部門，目前仍在與公司談判，尚未就是否罷工進行投票。美光在台灣擁有約 15,000 名員工，主要生產 AI 伺服器關鍵組件 DRAM 和高帶寬記憶體（HBM）。桃園工會未說明罷工具體時長，台灣地區領導人賴清德上週呼籲雙方真誠協商。

ChainCatcher 消息，美光科技副總裁李哲在首爾 COEX 舉行的韓國半導體展 SEDEX 2026 上表示，公司正在研發面向物理 AI 的邊緣推理儲存器 EIM。業內預計該產品將於 2028 年下半年量產。美光正研究把 EIM 用於 LPDDR6，以服務自動駕駛、人形機器人等對低功耗 DRAM 的需求，並正與主要客戶討論相關產品。科創板日報報導，EIM 位於 AI 晶片與記憶體之間，做法是把 LPDDR 堆疊在邏輯晶片上，以高速處理推理數據，計算架構尚未完全公開。李哲稱，目前機器人 AI 模型約 10 億至 20 億參數，帶寬需求不高；更先進的視覺語言模型出現後，僅靠 LPDDR 不夠，HBM 最終會用於人形機器人。美光預計，未來高性能人形機器人約需 200 GB DRAM 和 4 TB 儲存，目前服務型機器人約為 12 GB DRAM 和 256 GB 儲存。美光 CEO 桑賈伊·梅洛特拉稱，人形機器人單機儲存容量是普通 L2+ 乘用車的約 10 倍，儲存行業或從 2030 年前後進入持續數十年的需求增長，原因包括需同步處理上百路傳感器數據，並在本地運行大模型做毫秒級控制。Counterpoint Research 預計，全球人形機器人 DRAM 需求將從今年約 8300 Tbit 增至 2030 年約 17.2 萬 Tbit。

ChainCatcher 消息，英偉達已要求三星電子、SK 海力士和美光科技採用台積電 3nm 製程的基底裸片為其生產 NVHBM，核心裸片則採用第六代 DRAM 技術。三星電子已決定接受英偉達的技術要求，但對涉及客戶的事項不予評論。

ChainCatcher 消息，市場研究機構 Counterpoint Research 與 TrendForce 於 18 日表示，中國 DRAM 廠商長鑫存儲月晶圓產能預計將從目前約 32 萬片擴大至 2027 年的 42 萬片，一年多時間新增約 10 萬片，增幅達 31.3%。行業預計，長鑫存儲月 DRAM 晶圓產能到 2028 年底將達到 50 萬至 60 萬片。若按上限 60 萬片計算，較當前水平增加 28 萬片，增幅約 87.5%。

ChainCatcher 消息，据 DealSite 報導，儲存晶片廠商 SK 海力士在擴大第六代高帶寬記憶體 HBM4 量產的同時，部分後道設備業內人士認為擴產速度慢於預期，今年計畫追加的部分設備訂單可能推遲至明年。設備業人士稱，原定今年下半年交付的部分設備出現延後跡象，後續訂單計畫也尚未明確。有匿名人士表示，部分原計畫今年投入的設備或改至明年，已交付設備是否滿負荷運轉也尚無數據確認。明年 HBM4 相關投資計畫尚未具體傳達給部分合作方，今年訂單已大體完成，但未見明確的增減投資信號。報導稱，設備投資日程與產品品質問題之間的直接關聯尚未得到確認。大信證券研究員柳亨根認為，主要客戶 HBM4 品質問題導致業績低於預期的擔憂過度，後道環節或曾出現部分問題，但難以視為無法解決的風險，也尚未到討論不良賠償的階段。另有業內說法稱，在通用記憶體價格上漲背景下，部分 HBM 投資或轉向通用記憶體。SK 海力士計畫優先向龍仁集群 Y1 晶圓廠首個潔淨室導入 DRAM 生產設備，業界預計初期產線採用第六代 10 奈米級 1c 工藝，新增產能將優先分配給通用 DRAM。也有觀點認為，僅憑部分後道設備日程變化，尚不足以判斷 HBM4 量產受阻，SK 海力士已向主要客戶供應 HBM4 16 層樣品。

ChainCatcher 消息，中國存儲芯片企業長鑫存儲（CXMT）稱，其在一種新存儲結構上取得關鍵進展。三星電子與 SK 海力士也在推進同類結構，以提高存儲密度。公司總裁曹侃宇在上海一場產業活動上表示，長鑫存儲計劃在 2026 年底前推出基於該結構的新伺服器內存產品，相關說法來自公司聲明。該結構為 4F² 設計，即每個存儲單元占用面積為 4F²，其中 F 為半導體最小線寬。公司稱，這一專有晶體管設計可通過在單顆芯片上容納更多存儲單元來提高存儲密度，並改善效率。目前主流商用 DRAM 採用 6F² 單元結構。

ChainCatcher 消息，IT之家援引 Money Today 10 月 8 日報導，三星電子移動體驗（MX）部門已計劃削減智慧型手機產量，2026 年第四季度產量最高降幅達 30%。多家 IT 行業知情人士稱，三星 MX 部門已通知多家合作夥伴，要求將產品供應量減少 20% 至 30%。IT之家註明，原文未明確這 30% 是環比、同比，還是與此前預期產量對比。產量方面，三星電子原計劃依托 Galaxy Z Fold8 等新產品，全年生產高達 2.7 億部智慧型手機。第四季度大幅削減後，全年最終產量預計降至 2 億部出頭，降幅超出市場原先預期。IDC 數據顯示，今年第一、二季度智慧型手機出貨量分別為 6240 萬部和 6270 萬部，此前預測第三、四季度出貨量分別為 5900 萬部和 5200 萬部，第四季度較第三季度下降約 12%。Money Today 報導稱，內存價格上漲是減產的核心驅動因素。TrendForce 數據顯示，今年第二季度智慧型手機低功耗 DRAM（LPDDR5X）12GB 規格售價為 145 至 146 美元，較去年同期上漲 175%。報導還稱，人工智慧需求推高儲存器價格，預計第三季度智慧型手機 DRAM 價格將再漲約 20%，最高可達 180 美元。IT 行業人士稱，當前三星手機銷售已無利潤，減產是維持整體盈利的策略。

ChainCatcher 消息，据財聯社援引媒體當地時間 9 月 29 日報導，三星電子執行副總裁 Kim Taewoo：預計明年 HBM 將占 DRAM 廠商晶圓總產能的近 30%，目前該比例約為 20%。他稱，HBM 與傳統 DRAM 競爭同一批晶圓產能，擴大 HBM 產出可能擠壓傳統 DRAM 供應。TrendForce 此前預測，2027 年底全球三大 HBM 供應商的 HBM 晶圓投入約占 DRAM 晶圓總投入的 30%，但按存儲容量計僅能貢獻約 13% 的 DRAM 總供應量。另據媒體 9 月 20 日報導，三星已於今年 2 月開始量產出貨 HBM4，5 月向包括英偉達在內的客戶提供 12 層 HBM4E 樣品；業內預計三星 HBM 月均晶圓投入量將由今年約 18 萬片增至明年約 25 萬片。TrendForce 同日表示，AI 伺服器需求持續，HBM 與通用 DRAM 仍將分享有限的先進製程產能，2027 年存儲供應將維持偏緊，並上調 2027 年 HBM 價格預期，預計混合平均售價同比上漲 121%。受供應有限和系統成本上升影響，8 層 HBM 預計將成為 2027 年多家廠商優先評估的方案，其每 Gb 售價將比 12 層產品高約 10% 至 20%。

ChainCatcher 消息，韓國《中央日報》報導，其取得的三星電子部長出身、前長鑫存儲（CXMT）設備投資負責人全某的陳述書顯示，CXMT 前 CEO 王寧國曾於 2016 年 10 月至 12 月召集全某等韓國團隊，要求帶回三星電子工藝配方計畫（PRP）及設備資訊，並稱若不帶回將向韓國政府舉報，還警告對方有核實人脈、不要說謊。全某稱當時感到害怕。報導稱，CXMT 管理層當時以"黃山"作為三星電子的代號。全某在三星電子工作 28 年後加入 CXMT，因涉嫌未經授權洩露並使用三星投入 1.6 萬億韓元、當時全球率先開發的 18 奈米 DRAM 工藝被起訴，今年 4 月一審被判 7 年有期徒刑，目前處於二審。PRP 包含 DRAM 製造約 600 個步驟的順序、設備、條件值及設備公司與型號。三星工藝設計工程師出身的朴某於 2016 年 9 月將相關內容手抄在 12 頁筆記中帶出，目前處於國際刑警組織紅色通報狀態。全某在庭審中陳述，與中國方面溝通時出現過做不出 18 奈米就不向 CXMT 提供投資的說法，並稱後來得知對方從一開始就想要該技術，CXMT 起初並無自行開發打算。上述施壓發生在為申請投資準備會議之前。CXMT 於 2016 年由合肥市政府下屬合肥產業投資出資 144 億人民幣設立，約 10 年未盈利，去年首次年度盈利，淨利潤 71 億人民幣。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 9 月 28 日報導，三星電子正加快平澤第五園區（P5）首條量產線（Ph1）建設，並與主要設備廠商討論將 Ph1 設備搬入目標從原定明年三季度提前至明年二季度。P5 是以 2028 年投產為目標的下一代半導體生產基地，今年三季度已開始建設 Ph1 潔淨室。三星電子此前已將原定明年初完成的 P5 Ph1 潔淨室建設提前約 6 個月，設備導入因此預計在明年三季度左右。業內人士稱，設備搬入開始時間擬從明年 7 月至 8 月提前至明年 5 月至 6 月前後；另有人士表示，三星甚至提出明年一季度先交付設備、由其他地點暫存，顯示其提前投資意願較強。P5 第二階段（Ph2）投資討論也在推進。目前 Ph1 更可能建設為 DRAM 與 HBM 產線，Ph2 則更可能建設為包括第十代（V10）在內的先進 NAND 產線。設備業人士稱，正式採購訂單尚未下達，但三星已與合作方討論將 Ph2 建成 NAND 產線，並因設備交付周期較長，要求提前備妥相關零部件。報導稱，全球大型科技公司增加 AI 基礎設施用高性能 DRAM 與 NAND 訂單，而三星等儲存企業產能有限。三星在 7 月二季度業績電話會上曾表示，今年未能滿足的需求將延至明年，明年供應短缺將比今年更嚴重，並預計短缺將持續至 2028 年。

ChainCatcher 消息，半導體分析機構 Kernel Insight：人工智慧需求推動 DRAM 價格維持歷史高位，最新工藝 DRAM 的單位面積銷售價值已高於台積電 N2、N3 晶圓價格。該機構將台積電 300 毫米 N3 晶圓價格估為 2 萬美元、N2 為 3 萬美元，折合名義價格分別約為每平方毫米 0.283 美元和 0.424 美元，未計入邊際損耗、切割損耗及良率與缺陷。按每 Gb 1.50 美元及世代比特密度計算，1y DRAM 為每平方毫米 0.329 美元，1z 為 0.410 美元，1b 為 0.654 美元，較 N2 高出 50% 以上。10 奈米級工藝按 1y、1z、1a、1b 的順序逐步微縮。上述每 Gb 價格假設接近現貨，DRAMeXchange 數據顯示，9 月 21 日 16Gb DDR5 eTT 晶片平均成交價為 24.80 美元，約合每 Gb 1.55 美元。比較口徑存在差異。台積電數字是客戶支付的晶圓代工價格，DRAM 數字是成品銷售的總銷售潛力，且未計入先進封裝成本；台積電實際供貨價會隨訂單量與合約變化。DRAM 指標基於小額現貨價格，不同於三星電子、SK 海力士、美光營收主體的長期合約價格。非公開固定交易價格近期走強，若尚未完全反映到現貨價格，儲存廠商晶圓單位價格的領先幅度可能更大。

ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 報導，三星電子調整下一代 DRAM 策略，將此前以項目形式開發的 B1b 納入正式路線圖，並命名為首款 10 奈米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶體管 DRAM，現該產品被單獨歸類為 D0a-V。此次更名是為加快在通用 DRAM 中導入先進封裝。B1b 將儲存單元與周邊驅動電路分別在不同晶圓上製造後再鍵合，採用晶圓對晶圓混合鍵合，通過銅互連直接連接。目前已商用 DRAM 為 1c，即第 6 代 10 奈米級、線寬約 11 至 12 奈米；下一代 1d 為第 7 代 10 奈米級、線寬約 10 至 11 奈米，被視為事實上最後的 10 奈米級產品，相關線寬屬於行銷用語而非實際物理尺寸。垂直晶體管可將單元內晶體管垂直佈置，把單元面積從 6F² 縮至 4F²，但需應對高深寬比刻蝕和漏電流，開發難度較高。晶圓對晶圓混合鍵合已在 CMOS 圖像感測器和高堆疊 NAND 中量產應用。三星電子正評估將 B1b 用於第 8 代高帶寬記憶體 HBM5。HBM5 預計約 2029 年量產，目標是較 HBM4E 將運行速度提高 50% 以上。業界估計，基於 B1b 的 D0a DRAM 最快約兩年後商用，具體量產投資日程或於明年年中確定。

ChainCatcher 消息，富達投資全球宏觀總監 Jurrien Timmer 在 X 平台表示，AI 領域交易已超過三個月處於"死錢"狀態，其跟蹤的 token 支出和 GPU 租賃費率均持平或下降，僅內存（DRAM）價格持續上漲。Timmer 認為，AI 長期將改變生活，並可能釋放生產率奇蹟，使經濟非通脹速度上限提高到足以維持全球債務可持續的水平。但在此之前，當前的建設是通脹性的，對數萬億美元算力投資的回報尚不確定，企業股權和債務資本需求正以 3.3 萬億美元的速度增長。

ChainCatcher 消息，全球儲存器持續嚴重缺貨，AI 及雲端應用推升 DRAM 與 NAND Flash 需求與價格。中國兩大儲存器廠長江儲存與長鑫儲存將打破各占半壁江山的格局。長江儲存跨入 LPDDR5 DRAM 將於 2026 年底試產，長鑫儲存要從 DRAM 搶進 NAND Flash。業界推測兩家最快 2028 年正面交鋒。長江儲存以 Xtacking 技術完成 294 層 3D NAND 開發，三星 2025 年與其達成專利許可協議，從第 10 代 V-NAND 起採用相關專利。長江儲存三期計畫 2026 年底投產，初期約 2.5 萬片 DRAM 產能，2027 年完成爬坡，瞄準 LPDDR5，並規劃後續擴產及 HBM、3D DRAM。長鑫傳出將在北京設置 NAND 研發生產線，估計最快 2028 至 2029 年量產。