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ChainCatcher 消息，界面新聞從產業鏈獨家獲悉，蘋果已接受三星電子 2027 年一季度存儲芯片報價：DRAM 接近 2.0 美元 /Gb，NAND 閃存接近 0.33 美元 /Gb，較今年三季度報價上漲 30%-40%。界面新聞就此消息向蘋果求證，截至發稿暫無回應。

ChainCatcher 消息，据朝鮮日報 9 月 15 日報導，三星電子與 SK 海力士三季度營業利潤共識在三個月內再次上調。綜合主要券商與海外投行報告，三星電子三季度營業利潤預估約 114 萬兆韓元，較三個月前的 101.9052 萬兆韓元上調 12.2836 萬兆韓元（12%），較二季度 89.4 萬兆韓元增長 28%。SK 海力士三季度預估為 78.8035 萬兆韓元，較三個月前的 75.7249 萬兆韓元上調 4%，較二季度 60.5426 萬兆韓元增長 30%。TrendForce 預計三季度通用 DRAM 固定交易價格環比上漲 13% 至 18%，NAND 閃存上漲 10% 至 15%。證券界關注三星電子 HBM4 營收占比由一季度 5% 擴大至二季度約 35%，且良率改善。SK 海力士維持 HBM 市場份額第一，但三星 HBM4 量產改善或稀釋其供應溢價。花旗證券因韓元走強將 SK 海力士三季度營業利潤預估由 76.7 萬兆韓元下調至 74 萬兆韓元。美光將於 30 日公布 2026 財年第四季度（6 月至 8 月）業績，營收指引為 490 億至 510 億美元。

ChainCatcher 消息，HIP-3 市場部署者 Entropy 花費 500 枚 HYPE（約合 38,950 美元）拍下代碼 DRAM，預計將上線 io:DRAM 永續合約交易。此前 Trade.xyz 已部署 xyz:DRAM 永續合約交易。DRAM 為 Roundhill Memory ETF（DRAM），是全球首只純內存主題 ETF。

ChainCatcher 消息，中國最大 DRAM 廠商長鑫存儲 CXMT 近日啟動上海新廠合作商設備招標，並推進多地產能擴張。CXMT 目前在合肥二期、北京一期量產 DRAM，產能估約每月 20 萬片中段，年底或超過每月 30 萬片。CXMT 計劃今年四季度開上海新廠，相關設備招標已啟動。半導體設備業人士稱，該廠擬分兩階段擴建，產能將顯著超過每月 10 萬片。隨後計劃明年上半年開合肥新廠、最早明年下半年開北京新廠，後年上半年再開合肥新廠。設備業人士稱，CXMT 已與多方溝通多地建廠時點。若計劃全部落地，CXMT 今年至 2028 年每年可新增至少每月 7 萬至 8 萬片產能，長期或超每月 60 萬片。三星電子與 SK 海力士 DRAM 產能分別估約每月 70 萬片、60 萬片。

ChainCatcher 消息，据日經亞洲報導，中國芯片製造商長鑫存儲（CXMT）在利潤率方面已領先全球競爭對手，超越 SK 海力士和美光。該公司利用商品級 DRAM 供應緊張的局面，在第二季度佔據優勢。長鑫存儲的主要產品包括 DDR5 記憶體，近幾個月價格出現上漲。報導稱，這一情況出現在由韓國、美國和日本供應商主導的存儲芯片行業。

ChainCatcher 消息，SK 海力士 9 日表示，下一代儲存器 3D DRAM 半導體開發可利用代工工藝。此前一日，該公司在利川園區 Supex 中心舉行的 2026 SK 海力士未來論壇上，副社長金慶勳、孫浩英提出 3D DRAM 主要技術方向，包括 DRAM 外圍電路採用邏輯代工工藝、最大化數據總線帶寬、超短距離傳輸等。3D DRAM 是將原先平面鋪設的儲存單元垂直堆疊以提高集成度的下一代 DRAM。兩人表示，實現該技術除設計與發熱問題外，還需一並解決微細互連、鍵合、工藝整合等封裝領域難題。隨著前道與後道封裝、代工與儲存器技術邊界趨近，超越既有領域的共同優化將更重要。孫浩英稱，3D 技術正在改變晶圓廠與封裝的技術邊界，需與先進封裝技術創新一起，建立超越既有領域的優化與新協作體系。同主題發表的高麗大學教授申昌煥表示，3D DRAM 不僅是晶片垂直堆疊，更是打破儲存器與邏輯邊界的技術；隨著器件微細化接近極限、系統與儲存器間數據移動帶來的時間與功耗增加，轉向 3D 技術不可避免，並提議以人工智慧聯動材料、器件、封裝、架構四領域的 3D 集成設計框架。SK 海力士社長郭魯正在致辭中稱，過去儲存器市場像比誰跑得更快的直線道路，現在則像時刻變化的彎道，除內部能力外，把握外部環境變化速度與方向並靈活適應也很重要。

ChainCatcher 消息，長鑫科技召開 2026 年半年度業績說明會。有投資者詢問長鑫科技第三季度 DRAM 價格情況，公司高級副總裁、財務負責人黃丹陽認為，展望 2026 年下半年，全球 DRAM 產品供給緊缺格局將延續。

ChainCatcher 消息，韓國券商 KB Securities 警告，三星電子和 SK 海力士的儲存半導體庫存已降至不足 10 天供應量，明年可用供應將明顯不足。該機構週一報告指出，人工智慧基礎設施投資以前所未有的速度擴張，儲存晶片市場面臨嚴重供應短缺。關鍵因素是向 HBM4 過渡，HBM4 所需晶圓約為傳統 DRAM 的三倍，晶圓產能有限將減少傳統 DRAM 可用產能。KB Securities 預計明年 DRAM 和 NAND 需求將超過供應 10 個百分點以上。研究主管 Kim Dong-won 表示，人工智慧伺服器將消耗 HBM、伺服器 DDR5 和企業級固態硬碟，可能導致歷史性短缺。全球超大規模數據中心運營商將明年人工智慧基礎設施投資預期上調至 1.3 萬億美元，較上年增長 60%。該機構預計明年儲存半導體將占人工智慧基礎設施總投資的 57%，高於去年的 14%，TrendForce 預計這一比例可能高達 68%。三星電子股價較高點跌去近 28%，SK 海力士跌去近 40%。

ChainCatcher 消息，長鑫科技召開 2026 年半年度業績說明會。公司獨立董事陳武朝在回覆投資者提問時表示，2026 年上半年，全球 DRAM 產品景氣度提升，價格上漲。目前，公司仍處於產能擴張和技術升級的關鍵投入期，需要在保障必要資本開支的前提下逐步為股東創造回報。隨著盈利能力持續增強，公司將依法依規適時啟動分紅方案的論證。

ChainCatcher 消息，据 TrendForce 集邦諮詢最新儲存器產業研究，2026 年第二季由於 Conventional DRAM（一般型 DRAM）合約價顯著上漲，推升整體 DRAM 產業營收季增 59.5%，近 1,547.3 億美元。隨著 LLM 模型訓練、AI 推理刺激 AI Server 需求，HBM3e、LPDDR5X 和高容量 RDIMM 出貨同步成長，Agentic AI 應用則帶動各容量規格的 RDIMM 拉貨。供給方面，原廠庫存處於谷底、且新增供給優先滿足 Server 應用，第二季整體 DRAM 位元出貨量小幅成長。

ChainCatcher 消息，据朝鮮日報 9 月 7 日報導，SK 海力士正在加快提高 10 奈米級第六代（1c）DRAM 生產占比。業內數據顯示，其 1c DRAM 占比由今年一季度約 10%升至二季度約 13%，三季度有望達約 24%，四季度約 34%；明年一季度或升至約 35%，首次超過 1b（約 33%）並成為主力工藝。1b（10 奈米級第五代）DRAM 占比在今年二季度約 43%見頂後轉為下降。二季度末，三星電子 1c 占比約 16%、美光約 19%，均高於 SK 海力士的約 13%。報導稱，SK 海力士下半年加快轉換，四季度或按約 34%超過三星電子約 31%。SK 海力士在二季度業績電話會上表示，採用 1c 工藝的 DRAM 供應自二季度起實質性展開，下半年將隨 HBM4 放量及 1c 通用 DRAM 出貨增加，比特增長率高於上半年。三星電子自 HBM4 起採用 1c DRAM，運行速度約 11.7Gbps；SK 海力士此前以已驗證的 1b DRAM 與先進 MR-MUF 封裝優先保障量產穩定性，自下一代 HBM4E 起首次將 1c DRAM 用作 HBM 核心芯片。Counterpoint Research 等預計，今年英偉達、谷歌、AMD 合計口徑下 HBM4 市場份額約為 SK 海力士 50% 中段、三星電子 20% 後段、美光 10% 後段。

ChainCatcher 消息，台灣 DRAM 製造商南亞科技（股票代碼：2408）9 月 2 日公布，2026 年 8 月未經審計合併淨銷售額為 446.90268 億新台幣，較 7 月的 438.67609 億新台幣環比增長 1.88%，較 2025 年 8 月的 67.62501 億新台幣同比增長 560.85%。該公司同步披露，2026 年年初至今合併銷售額為 2201.94 億新台幣，同比增長 638.19%。詳細數據可查閱公司官網投資者關係欄目或台灣證券交易所網站。

ChainCatcher 消息，谷歌供應鏈基礎設施高級總監 Nikhil Cherian 透露，為突破記憶體瓶頸，谷歌正在開發軟體和硬體解決方案，並拆解退役伺服器回收 DDR4 元件以建立內部回收供應鏈。谷歌已設計特殊硬體適配器，可將上一代 DDR4 連接到新一代人工智慧伺服器，同時進口退役伺服器拆除其 DDR4 模組進行回收利用。Cherian 表示，人工智慧行業已迅速從計算受限轉向記憶體受限，高性能記憶體約占給定人工智慧伺服器物料清單成本的 75%。高盛報告指出，第三季度記憶體價格將繼續增長，預計個人電腦 DRAM 價格上漲 18% 至 23%，伺服器 DRAM 價格上漲 13% 至 18%。Trendforce 數據顯示，8 月現貨市場上 DDR4 8GB 和 DDR5 8GB 價格分別上漲至 142 美元和 133 美元。谷歌今年推出的兩種 TPU ASIC 對記憶體進行了優化設計，稱有望將記憶體需求降低至原來的六分之一。TPU8i 晶片採用專用分層記憶體設計，依靠高速 DDR5 記憶體架構執行主機級任務，每顆晶片搭載 288GB 的 HBM3e 高帶寬記憶體。

ChainCatcher 消息，日經中文網 9 月 3 日報導，來自英偉達的人工智慧伺服器相關需求正在助推半導體儲存器 DRAM 行情加速走高。用於個人電腦等設備的通用 DRAM 產品價格環比上漲 5%，面向工業設備的產品出現兩位數上漲。儲存廠商優先供應 AI 伺服器專用內存，其連鎖效應正在進一步擴散。DRAM 除用於個人電腦、相機、智能手機之外，也搭載於數據中心的 AI 伺服器等設備，承擔數據臨時儲存功能。儲存器廠商作為賣方，設備廠商、模組廠商作為買方，按月度或季度開展談判確定大宗交易價格。用於 PC、遊戲機、伺服器的通用型號 DDR5 的 16Gb 規格產品 7 月大宗交易價格敲定在約 40.2 美元，環比上漲 5%。價格實現連續 7 個月走高，電子商社高管表示已經刷新歷史最高價位。

ChainCatcher 消息，調研機構群智諮詢（Sigmaintell）發布存儲價格風向標顯示，2026 年第三季度，全球存儲市場整體供需依舊緊缺，DRAM（動態隨機存取存儲器）、NAND Flash（閃存）全品類價格維持環比上行，但相較於第二季度的漲價幅度已明顯放緩，部分存儲晶片的環比漲幅已收窄到 10% 以內。

ChainCatcher 消息，据韓國《首爾經濟》8 月 31 日報導，AI 加速器所用 HBM 與 DRAM 價格持續高漲。韓國貿易協會數據顯示，DRAM 出口量由 5 月約 6.817 億個降至 7 月 5.9174 億個，下降 13.2%，出口額則由 114.28 億美元增至 135.52 億美元，增長 18.5%，出口單價由 16.76 美元升至 22.9 美元，上漲 36.6%。HBM4 向英偉達等客戶供應擴大，且初期良率低於 HBM3E，加劇整體 DRAM 供應短缺。三星電子記憶體事業部據稱將至 2031 年約 70% 產能分配給長期供應協議，主要對象包括英偉達、微軟、谷歌。Mega Grid Supply 數據顯示，HBM3E 36GB 現貨價 2100 美元，約為長期協議價的 4 至 5 倍；正在量產協調的 HBM4 16 層現貨價約 3500 美元。金融投資界預計三星電子第三季度營收 206.64 萬億韓元、營業利潤 116.38 萬億韓元，營業利潤將首次突破 100 萬億韓元。SK 海力士第三季度營收預計 101.76 萬億韓元、營業利潤 79.16 萬億韓元。三星電子正考慮最早明年將平澤園區唯一晶圓代工產線 S5 轉為記憶體生產。

ChainCatcher 消息，長鑫科技發布 2026 年半年度報告，上半年營收 1503.10 億元，同比增長 873.64%；歸母淨利潤 776.05 億元，去年同期虧損 23.32 億元；經營活動現金流淨額 1311.56 億元，同比增長 2985.64%；毛利率 84.84%，研發投入 68.59 億元，占營收 4.56%。截至報告期末，總資產 4680.78 億元，淨資產 2707.49 億元。公司是全球第四、中國第一的 DRAM IDM 廠商，產品覆蓋 DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6 等，已與阿里雲、字節、騰訊、聯想、小米、OPPO、vivo 等頭部客戶合作，第五代工藝技術平台正進行客戶認證。截至 6 月 30 日，公司共擁有 4484 項境內專利及 3400 項境外專利，研發人員 7491 人，占比 33.42%。公司無控股股東和實際控制人，第一大股東清輝集電持股 21.67%。公司於 7 月 27 日登陸科創板，發行價 8.66 元/股，上市首日市值突破 3.5 萬億元。

ChainCatcher 消息，据韓國《朝鮮日報》報導，韓國 DRAM 出口價格持續飆升，AI 驅動的 HBM 生產正在擠壓普通記憶體供應。數據顯示，本月 1 日至 20 日，韓國 DRAM 出口單價達到每公斤 9.2183 萬美元，同比上漲 401%，較 2023 年 1 月低點上漲約 12.5 倍。高盛預計 DRAM 供應缺口將從今年的 5.0% 擴大至明年的 5.9%，並認為 AI 伺服器所需的 HBM 以及大容量伺服器 DRAM 正在吸收有限的生產產能，導致普通 DRAM 供應進一步收緊，供應短缺可能持續至 2028 年。TrendForce 預計，到明年底，三星、SK 海力士和美光用於 HBM 生產的晶圓投入量將占 DRAM 總晶圓投入的 30%，但 HBM 占實際 DRAM 比特供應量僅約 13%。記憶體廠商警告，AI 需求推動的 DRAM 和 NAND 供應緊張可能持續至 2027 年以後。SK 海力士表示，從供應端來看 2027 年可能成為記憶體行業歷史上最嚴重的短缺年份。

ChainCatcher 消息，据 DIGITIMES 報導，長鑫存儲與長江存儲持續擴張，近期蘋果積極尋求導入兩家中系記憶體供應鏈，外界關注其打入蘋果供應體系。業界透露，兩家廠商實則借蘋果證明中國 DRAM 及 NAND Flash 品質已達國際水準，檯面下則透過第三方組裝，輾轉外銷北美新雲端（neocloud）業者，擴大雲端與企業級市佔。長鑫存儲母公司長鑫科技已完成人民幣 295 億元募資，長江存儲擬 IPO 募資約 330 億元，用於量產線升級與研發。長江存儲 2024 年已轉盈，2026 年第一季歸母淨利達 333.79 億元；其三期新廠將提前至 2026 年第四季投產，總產能每月 10 萬片，其中約 20% 試產 LPDDR，成為其首個 DRAM 據點。供應鏈稱，兩家最快有望在 2027 年底至 2028 年將中國本土記憶體自給率提升至 50% 以上。長江存儲以 NAND 銷往第三方模組廠並組裝為企業級 SSD 出貨，規避產地敏感；長鑫存儲已導入美、加等地中小型雲端業者認證。美國民間企業原則上可向兩家採購，實體清單主要限制其獲取美國技術，並未全面禁止民間採購。雲端業者亦透過租用算力或第三方持有資產等方式降低合規風險。業界認為，蘋果對產業供需影響力下降，兩家並無意大量供貨蘋果或削價競爭，擴產仍難短期滿足蘋果在中國市場需求。