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界面ニュースは、産業チェーンから独占的に得た情報によると、AppleはSamsung Electronicsの2027年第1四半期のメモリーチップの価格を受け入れたことが確認されました：DRAMは約2.0ドル/Gb、NANDフラッシュは約0.33ドル/Gbで、今年第3四半期の価格から30%-40%の上昇です。界面ニュースはこの情報についてAppleに確認を求めましたが、発表時点ではまだ回答はありません。

朝鮮日報の9月15日の報道によると、サムスン電子とSKハイニックスの第3四半期の営業利益のコンセンサスが3ヶ月以内に再度引き上げられました。主要な証券会社と海外投資銀行の報告を総合すると、サムスン電子の第3四半期の営業利益は約114兆ウォンと予測され、3ヶ月前の101.9052兆ウォンから12.2836兆ウォン（12%）引き上げられ、第二四半期の89.4兆ウォンからは28%の増加となります。SKハイニックスの第3四半期の予測は78.8035兆ウォンで、3ヶ月前の75.7249兆ウォンから4%引き上げられ、第二四半期の60.5426兆ウォンからは30%の増加です。TrendForceは第3四半期の一般的なDRAMの固定取引価格が前四半期比で13%から18%上昇し、NANDフラッシュが10%から15%上昇すると予測しています。証券界はサムスン電子のHBM4の収益占有率が第一四半期の5%から第二四半期の約35%に拡大し、良品率が改善していることに注目しています。SKハイニックスはHBM市場シェアの第一位を維持していますが、サムスンのHBM4の量産改善がその供給プレミアムを希薄化する可能性があります。シティグループ証券はウォン高の影響でSKハイニックスの第3四半期の営業利益予測を76.7兆ウォンから74兆ウォンに引き下げました。マイクロンは30日に2026会計年度第4四半期（6月から8月）の業績を発表し、収益のガイダンスは490億から510億ドルです。

HIP-3 市場デプロイヤー Entropy は 500 枚の HYPE（約 38,950 米ドル）を費やしてコード DRAM を落札し、io:DRAM 永続契約取引を開始する予定です。以前に Trade.xyz は xyz:DRAM 永続契約取引を展開しました。DRAM は Roundhill Memory ETF（DRAM）であり、世界初の純メモリテーマ ETF です。

中国最大 DRAM メーカー長鑫存儲 CXMT は最近、上海の新工場の協力業者の設備入札を開始し、複数の地域での生産能力拡張を進めています。CXMT は現在、合肥の第2期と北京の第1期で DRAM の量産を行っており、月間生産能力は約 20 万枚と推定されており、年末には月間 30 万枚を超える可能性があります。CXMT は今年の第4四半期に上海の新工場を開設する計画で、関連する設備入札はすでに開始されています。半導体設備業界の関係者によると、この工場は2段階に分けて拡張される予定で、生産能力は月間 10 万枚を大幅に超える見込みです。その後、来年の上半期に合肥の新工場を開設し、早ければ来年の下半期に北京の新工場を開設し、再来年の上半期に再び合肥の新工場を開設する計画です。設備業界の関係者は、CXMT が多くの関係者とコミュニケーションを取りながら、各地での工場設立のタイミングを調整していると述べています。もし計画がすべて実現すれば、CXMT は今年から 2028 年まで毎年少なくとも月間 7 万から 8 万枚の生産能力を追加できる見込みで、長期的には月間 60 万枚を超える可能性があります。サムスン電子と SK ハイニックスの DRAM 生産能力はそれぞれ月間 70 万枚、60 万枚と推定されています。

日経アジアの報道によると、中国の半導体メーカーである長鑫存储（CXMT）は、利益率の面で世界の競合他社をリードしており、SKハイニックスやマイクロンを超えています。同社は、商品レベルのDRAM供給が厳しい状況を利用し、第2四半期に優位に立っています。長鑫存储の主な製品にはDDR5メモリが含まれており、ここ数ヶ月で価格が上昇しています。この状況は、韓国、アメリカ、日本のサプライヤーが主導するストレージチップ業界で発生しています。

SKハイニックスは9日、次世代メモリ3D DRAM半導体の開発においてファウンドリプロセスを活用できると発表しました。前日、同社は利川園区のSupexセンターで開催された2026 SKハイニックス未来フォーラムにおいて、副社長のキム・ギョンフンとソン・ハヨンが3D DRAMの主要技術方向について発表しました。これには、DRAM周辺回路にロジックファウンドリプロセスを採用すること、データバス帯域幅を最大化すること、超短距離伝送などが含まれます。3D DRAMは、従来の平面に配置されたメモリセルを垂直に積み重ねて集積度を向上させる次世代DRAMです。二人は、この技術を実現するためには設計や発熱の問題に加え、微細相互接続、ボンディング、プロセス統合などのパッケージング分野の課題も解決する必要があると述べました。前工程と後工程のパッケージング、ファウンドリとメモリ技術の境界が近づく中で、既存の分野を超えた共同最適化がより重要になるとしています。ソン・ハヨンは、3D技術がウェーハ工場とパッケージングの技術的境界を変えていると述べ、先進的なパッケージング技術の革新と共に、既存の分野を超えた最適化と新しい協力体制を構築する必要があると提案しました。同テーマで発表した高麗大学のシン・チャンファン教授は、3D DRAMは単にチップを垂直に積み重ねるだけでなく、メモリとロジックの境界を打破する技術であると述べました。デバイスの微細化が限界に近づく中で、システムとメモリ間のデータ移動による時間と消費電力の増加が避けられないため、3D技術への移行は不可避であり、人工知能を活用して材料、デバイス、パッケージング、アーキテクチャの4つの分野の3D統合設計フレームワークを提案しました。SKハイニックスの社長クォク・ルは、過去のメモリ市場は誰がより速く走るかの直線道路のようだったが、今は常に変化するカーブのようであり、内部能力に加えて外部環境の変化の速度と方向を把握し、柔軟に適応することも重要であると述べました。

長鑫科技は2026年の半期業績説明会を開催しました。投資家が長鑫科技の第三四半期のDRAM価格について質問したところ、同社の上級副社長で財務責任者の黄丹陽は、2026年下半期を見据えると、世界のDRAM製品供給の厳しい状況が続くと考えています。

韓国の証券会社KB証券は、サムスン電子とSKハイニックスのストレージ半導体在庫が10日分を下回ったと警告し、来年の供給が明らかに不足すると述べました。この機関は月曜日に、人工知能インフラへの投資がかつてない速度で拡大しており、ストレージチップ市場が深刻な供給不足に直面していると報告しました。重要な要因はHBM4への移行であり、HBM4に必要なウェハは従来のDRAMの約3倍であり、ウェハの生産能力が限られているため、従来のDRAMの利用可能な生産能力が減少します。KB証券は、来年のDRAMとNANDの需要が供給を10パーセント以上上回ると予測しています。研究責任者のキム・ドンウォン氏は、人工知能サーバーがHBM、サーバーDDR5、企業向けSSDを消費し、歴史的な不足を引き起こす可能性があると述べました。世界の超大規模データセンター運営者は、来年の人工知能インフラへの投資予想を1.3兆ドルに引き上げ、前年より60%増加するとしています。この機関は、来年のストレージ半導体が人工知能インフラ総投資の57%を占めると予測しており、昨年の14%から増加しています。TrendForceは、この割合が68%に達する可能性があると予測しています。サムスン電子の株価は高値から約28%下落し、SKハイニックスは約40%下落しました。

長鑫科技は2026年上半期の業績説明会を開催しました。会社の独立取締役である陳武朝は、投資家の質問に対して、2026年上半期には、世界のDRAM製品の景気が改善し、価格が上昇すると述べました。現在、会社は依然として生産能力の拡張と技術のアップグレードに重要な投資を行っており、必要な資本支出を確保した上で、徐々に株主にリターンを創出する必要があります。利益能力が持続的に強化されるにつれて、会社は法令に従い、適時に配当計画の検討を開始します。

TrendForceの最新のメモリ産業研究によると、2026年第二四半期には、Conventional DRAM（一般型 DRAM）の契約価格が大幅に上昇し、全体のDRAM産業の収益が前四半期比で59.5%増加し、約1,547.3億ドルに達する見込みです。LLMモデルのトレーニングやAI推論がAIサーバーの需要を刺激し、HBM3e、LPDDR5X、および高容量RDIMMの出荷が同時に成長しています。Agentic AIアプリケーションは、さまざまな容量のRDIMMの需要を引き上げています。供給面では、原材料メーカーの在庫は底を打ち、新たな供給はサーバーアプリケーションを優先して満たされており、第二四半期の全体のDRAMビット出荷量はわずかに成長しています。

朝鮮日報の9月7日の報道によると、SKハイニックスは10ナノメートル級第6世代（1c）DRAMの生産比率を高めるための加速を進めています。業界のデータによると、1c DRAMの比率は今年第1四半期の約10%から第2四半期の約13%に上昇し、第3四半期には約24%、第4四半期には約34%に達する見込みです。来年の第1四半期には約35%に上昇し、初めて1b（約33%）を超えて主力プロセスとなる見込みです。1b（10ナノメートル級第5世代）DRAMの比率は、今年第2四半期に約43%でピークを迎えた後、減少に転じています。第2四半期末時点で、サムスン電子の1c比率は約16%、マイクロンは約19%で、いずれもSKハイニックスの約13%を上回っています。報道によると、SKハイニックスは下半期に変換を加速し、第4四半期には約34%でサムスン電子の約31%を超える見込みです。SKハイニックスは第2四半期の業績電話会議で、1cプロセスを採用したDRAMの供給が第2四半期から実質的に開始され、下半期にはHBM4の出荷増加と1c汎用DRAMの出荷増加に伴い、ビット成長率が上半期を上回ると述べました。サムスン電子はHBM4から1c DRAMを採用し、動作速度は約11.7Gbpsです。SKハイニックスは以前、検証済みの1b DRAMと先進的なMR-MUFパッケージを使用して量産の安定性を優先的に確保し、次世代HBM4Eから初めて1c DRAMをHBMコアチップとして使用します。Counterpoint Researchなどは、今年、NVIDIA、Google、AMDの合計でHBM4の市場シェアがSKハイニックスの50%中盤、サムスン電子の20%後半、マイクロンの10%後半になると予測しています。

台湾のDRAMメーカー南亚科技（株式コード：2408）は、9月2日に2026年8月の未監査の連結売上高が446.90268億新台湾ドルであると発表しました。これは7月の438.67609億新台湾ドルから前月比で1.88%の増加であり、2025年8月の67.62501億新台湾ドルからは前年比で560.85%の増加です。同社は、2026年年初から現在までの連結売上高が2201.94億新台湾ドルであり、前年比で638.19%の増加であることも発表しました。詳細なデータは、会社の公式ウェブサイトの投資家関係セクションまたは台湾証券取引所のウェブサイトで確認できます。

グーグルのサプライチェーンインフラストラクチャのシニアディレクター、Nikhil Cherianは、メモリのボトルネックを突破するために、グーグルがソフトウェアとハードウェアのソリューションを開発しており、退役サーバーを分解してDDR4コンポーネントを回収し、内部リサイクルサプライチェーンを構築していることを明らかにしました。グーグルは、前世代のDDR4を新世代の人工知能サーバーに接続するための特別なハードウェアアダプターを設計しており、退役サーバーを輸入してそのDDR4モジュールを回収利用しています。Cherianは、人工知能業界が計算制限からメモリ制限に急速に移行していると述べ、高性能メモリは特定の人工知能サーバーの材料リストコストの約75%を占めているとしています。ゴールドマン・サックスの報告によると、第三四半期のメモリ価格は引き続き上昇し、パーソナルコンピュータのDRAM価格は18%から23%上昇し、サーバーのDRAM価格は13%から18%上昇すると予測されています。Trendforceのデータによると、8月の現物市場でDDR4 8GBとDDR5 8GBの価格はそれぞれ142ドルと133ドルに上昇しました。グーグルが今年発表した2種類のTPU ASICは、メモリの最適化設計が施されており、メモリの需要を元の六分の一に減少させることが期待されています。TPU8iチップは専用の階層メモリ設計を採用しており、高速DDR5メモリアーキテクチャに依存してホストレベルのタスクを実行し、各チップには288GBのHBM3e高帯域幅メモリが搭載されています。

日経中文網 9月3日報道、英伟达からの人工知能サーバー関連の需要が半導体メモリDRAMの相場を加速的に押し上げている。パーソナルコンピュータなどのデバイス向けの汎用DRAM製品の価格は前月比で5%上昇し、産業機器向けの製品は二桁の上昇を見せている。メモリメーカーはAIサーバー専用メモリを優先的に供給しており、その連鎖効果はさらに広がっている。DRAMはパーソナルコンピュータ、カメラ、スマートフォンだけでなく、データセンターのAIサーバーなどのデバイスにも搭載され、データの一時保存機能を担っている。メモリメーカーが売り手、デバイスメーカーやモジュールメーカーが買い手となり、月次または四半期ごとに交渉を行い、大宗取引価格を決定する。PC、ゲーム機、サーバー向けの汎用モデルDDR5の16Gb仕様製品は、7月の大宗取引価格が約40.2ドルに決定され、前月比で5%上昇した。価格は7ヶ月連続で上昇を続けており、電子商社の幹部は歴史的最高価格を更新したと述べている。

調査機関群智コンサルティング（Sigmaintell）が発表したストレージ価格の風向計によると、2026年第三四半期には、世界のストレージ市場全体の供給と需要は依然として厳しい状況が続き、DRAM（ダイナミックランダムアクセスメモリ）、NAND Flash（フラッシュメモリ）全品目の価格は前期比で上昇を維持していますが、第二四半期の価格上昇幅に比べて明らかに鈍化しており、一部のストレージチップの前期比上昇幅は10%以内に収束しています。

韓国の『ソウル経済』が8月31日に報じたところによると、AIアクセラレーターで使用されるHBMとDRAMの価格が引き続き高騰しています。韓国貿易協会のデータによると、DRAMの輸出量は5月の約6.817億個から7月の5.9174億個に減少し、13.2%の減少となりましたが、輸出額は114.28億ドルから135.52億ドルに増加し、18.5%の増加を見せました。輸出単価は16.76ドルから22.9ドルに上昇し、36.6%の上昇となっています。HBM4はNVIDIAなどの顧客への供給が拡大しており、初期の良品率はHBM3Eよりも低く、全体的なDRAM供給不足を悪化させています。サムスン電子のメモリ事業部は、2031年までに約70%の生産能力を長期供給契約に配分する予定で、主な対象にはNVIDIA、マイクロソフト、グーグルが含まれています。Mega Grid Supplyのデータによると、HBM3E 36GBの現物価格は2100ドルで、長期契約価格の4倍から5倍に相当します；量産調整中のHBM4 16層の現物価格は約3500ドルです。金融投資界では、サムスン電子の第3四半期の売上高は206.64兆ウォン、営業利益は116.38兆ウォンになると予測されており、営業利益は初めて100兆ウォンを突破する見込みです。SKハイニックスの第3四半期の売上高は101.76兆ウォン、営業利益は79.16兆ウォンと予想されています。サムスン電子は、早ければ来年に平沢キャンパスの唯一のウェハー受託生産ラインS5をメモリ生産に転換することを検討しています。

長鑫科技は2026年半期報告を発表し、上半期の収益は1503.10億元で、前年同期比873.64%増加しました。親会社に帰属する純利益は776.05億元で、昨年同期は23.32億元の損失でした。営業活動によるキャッシュフローの純額は1311.56億元で、前年同期比2985.64%増加しました。粗利率は84.84%、研究開発投資は68.59億元で、収益の4.56%を占めています。報告期間末時点で、総資産は4680.78億元、純資産は2707.49億元です。同社は世界第4位、中国第1位のDRAM IDMメーカーで、製品はDDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6などをカバーしています。すでにアリババクラウド、バイトダンス、テンセント、レノボ、小米、OPPO、vivoなどの主要顧客と協力しており、第5世代のプロセステクノロジープラットフォームは顧客認証を進めています。6月30日現在、同社は国内特許4484件、海外特許3400件を保有しており、研究開発スタッフは7491人で、全体の33.42%を占めています。同社には持株会社や実質的な支配者はおらず、最大株主の清輝集電が21.67%を保有しています。同社は7月27日に科創板に上場し、発行価格は8.66元/株で、上場初日の時価総額は3.5兆元を突破しました。

韓国の『朝鮮日報』の報道によると、韓国のDRAM輸出価格が引き続き急騰しており、AI駆動のHBM生産が一般的なメモリ供給を圧迫しています。データによると、今月1日から20日までの間に、韓国のDRAM輸出単価は1キログラムあたり92,183ドルに達し、前年同期比で401%の上昇、2023年1月の低点からは約12.5倍の上昇となっています。ゴールドマン・サックスは、DRAMの供給不足が今年の5.0%から来年の5.9%に拡大すると予測しており、AIサーバーに必要なHBMや大容量サーバーDRAMが限られた生産能力を吸収しているため、一般的なDRAM供給がさらに厳しくなり、供給不足は2028年まで続く可能性があると考えています。TrendForceは、来年末までに、サムスン、SKハイニックス、マイクロンがHBM生産に投入するウェハの量がDRAM総ウェハ投入の30%を占めると予測していますが、HBMが実際のDRAMビット供給量に占める割合は約13%に過ぎません。メモリメーカーは、AI需要によって引き起こされるDRAMとNANDの供給緊張が2027年以降も続く可能性があると警告しています。SKハイニックスは、供給側から見ると2027年がメモリ業界の歴史の中で最も深刻な不足の年になる可能性があると述べています。

DIGITIMESの報道によると、長鑫ストレージと長江ストレージは継続的に拡張しており、最近、Appleは両社の中国系メモリ供給チェーンの導入を積極的に模索している。外部では、Appleの供給体系に参入することに注目が集まっている。業界の情報によると、両社は実際にはAppleを通じて中国のDRAMおよびNAND Flashの品質が国際水準に達したことを証明し、裏では第三者の組み立てを通じて北米の新しいクラウド業者に転売し、クラウドおよび企業向けの市場シェアを拡大している。長鑫ストレージの親会社である長鑫テクノロジーは295億元の資金調達を完了し、長江ストレージはIPOで約330億元の資金調達を予定しており、量産ラインのアップグレードと研究開発に使用される。長江ストレージは2024年に黒字転換し、2026年第1四半期には親会社に帰属する純利益が333.79億元に達する見込みである。第3期の新工場は2026年第4四半期に生産を開始し、総生産能力は毎月10万枚で、そのうち約20%がLPDDRの試作となり、初のDRAM拠点となる。供給チェーンによると、両社は最速で2027年末から2028年にかけて中国国内のメモリ自給率を50%以上に引き上げることが期待されている。長江ストレージはNANDを第三者のモジュールメーカーに販売し、企業向けSSDとして出荷することで産地の敏感さを回避している。長鑫ストレージは米国やカナダなどの中小型クラウド業者の認証を導入している。米国の民間企業は原則として両社から調達でき、実体リストは主に米国技術の取得を制限しており、民間調達を全面的に禁止しているわけではない。クラウド業者はまた、計算能力のレンタルや第三者が保有する資産を通じてコンプライアンスリスクを低減している。業界では、Appleの産業供給と需要への影響力が低下しており、両社はAppleに大量供給したり、価格競争を行ったりする意図はなく、拡張しても短期的にはAppleの中国市場での需要を満たすのは難しいと考えられている。